Корпорація intel представила свої ключові досягнення за минулі роки за різними напрямками розвитку напівпровідникових пристроїв . Анонс досягнень intel відбувся в рамках конференції ieee international electron devices meeting (iedm) 2021 в сан-франциско.

Компанія розповіла про дослідження, які проводяться силами її дослідницької групи component research. В даний час вони охоплюють найрізноманітніші напрямки, в тому числі, пов’язані з розвитком технології напруженого кремнію (strained silicon), створення транзисторів з діелектриком затвора високої діелектричної проникності (hi-k metal gates), транзисторів finfet, ribbonfet, а також розробкою інновацій в області корпусування, таких як emib і foveros direct.

Серед основних напрямків досліджень були названі:

  • розробка нових схем корпусування, що дозволяють створювати нові гібридні напівпровідникові модулі;
  • вивчення фізики масштабування транзисторів. Цей напрямок здатний забезпечити в недалекому майбутньому серйозне зростання щільності розміщення транзисторів на кристалі;
  • вивчення нових напрямків в області квантової фізики. Вони здатні революціонізувати розвиток обчислювальних технологій на найближче десятиліття.

У недалекому майбутньому компанія intel має намір:

  • більш ніж в 10 разів підвищити щільність упаковки між’ядерних з’єднань при корпусуванні із застосуванням гібридної зв’язки;
  • зменшити на 30-50% площу, займану логічними схемами;
  • значно вдосконалити технології живлення і пам’яті;
  • розвивати нові ідеї в області фізики, які здатні повністю змінити обчислювальні технології.

Проведені в даний час в intel дослідження спрямовані на розробку інновацій, які дозволять зберегти актуальність закону мура. Для досягнення цієї мети intel представила досягнення за наступними напрямками проведених досліджень.

  • на минулому в липні заході intel accelerated компанія оголосила про плани по впровадженню технології foveros direct. Ця технологія дозволяє домогтися рівня, коли зазор між виведеними контактами транзисторів стає менше 10 мікрон. Це дозволить значно збільшити щільність інтерконекту транзисторів при їх 3d-упаковці.
  • фахівці intel запропонували нові рішення, що дозволяють вирішити існуючі проблеми, пов’язані з конструюванням чиплетів. Мова йде про розвиток технології виробництва і складання гібридних компонентів чіпсетів. Дана технологія обіцяє підвищити щільність розміщення вузлів при корпусуванні більш ніж в 10 разів.
  • intel розробляє нове рішення із застосуванням вертикального монтажу декількох кмоп-транзисторів. Це дозволить істотно поліпшити (від 30% до 50%) масштабування логічних схем на етапі переходу від технології ribbonfet з навколишнім (gate-all-around, gaa) затвором.
  • intel проводить дослідження в області створення новітніх матеріалів, що мають в зрізах товщину в кілька атомів. Метою цих досліджень є виготовлення транзисторів, які дозволять подолати обмеження традиційних кремнієвих напівпровідників. Це дозволить істотно збільшити кількість транзисторів, що розміщуються на одиниці площі.
  • intel вперше в світі веде розробку технології інтеграції елементів силової комутації на базі нітрид-галієвих (gan) транзисторів з кремнієвими кмоп-транзисторами на 300-міліметровій пластині. Це стане основою для створення більш ефективних технологій живлення схем процесора з малими втратами і високою швидкістю комутації при одночасному зменшенні кількості компонентів на системній платі і займаного простору.
  • досягненням intel є створення комірки вбудованої пам’яті dram з низькими затримками читання / запису на основі ферроелектричних матеріалів. Ця лідируюча в галузі технологія претендує на застосування в наступних поколіннях dram. Вона забезпечить зростаючі потреби в пам’яті для все більш складних обчислювальних додатків, від ігор до ші.
  • intel продемонструвала першу в світі експериментальну реалізацію магнітоелектричного спін-орбітального (magnetoelectric spin-orbit, meso) логічного пристрою, який працює при кімнатній температурі.
  • великий прогрес був досягнутий в області вивчення матеріалів для спінової електроніки (спінтроніки). За оцінками intel, ці дослідження наближають час, коли за рахунок інтеграції елементів будуть створюватися повнофункціональні спін-приводні пристрої.
  • intel продемонструвала повний технологічний процес виробництва кубітів на 300-мм пластині для здійснення масштабованих квантових обчислень. Нова виробнича технологія, сумісна з існуючими лініями з випуску кмоп-виробів, є визначальною для майбутніх досліджень.

Intel також виступає за розробку нових галузевих стандартів і методик тестування в області сучасних методів компонування для створення екосистеми чиплетів з гібридним монтажем.

Раніше редакція thg.ru опублікувала огляд кращих процесорів для ігор . Вибрати кращий процесор для ігор непросто — для кого-то кращим може бути найдоступніший процесор, для інших — найпродуктивніший. Ми намагаємося враховувати всі фактори і публікуємо регулярно оновлюваний матеріал, в якому намагаємося рекомендувати дійсно кращий процесор для ігор в будь — якій ціновій категорії-від $100 до топового сегмента. Детальніше про це читайте в статті «кращий процесор для ігор : поточний аналіз ринку».

читайте також: